? 中科光智參與真空技術國標制定,共筑行業發展基石
在科技迅猛發展的時代,國家標準的制定標志著行業的進步與未來的方向。
中科光智(重慶)科技有限公司正式參與了真空技術國家標準項目《真空技術 真空泵性能測量標準方法 第4部分:渦輪分子泵》的制定工作,充分彰顯了公司在真空技術領域的強大實力。
真空技術國家標準計劃項目是指針對真空技術領域所制定的一系列國家標準,旨在規范真空技術的各個方面,包括真空獲得、真空測量、真空檢漏和真空應用等,以確保技術的準確性、可靠性和安全性。這些標準計劃項目通常由權威機構或標準化技術委員會(如TC18全國真空技術標準化技術委員會)負責起草和歸口管理。
參與這一國家級標準的制定的決定主要源于我們對技術的執著追求和對行業的深刻理解。
真空技術在現代工業、科研和生活中有著廣泛的應用,如半導體制造、航空航天、醫療設備、光學儀器等領域。制定統一的國家標準,對于提高產品質量、促進技術創新、保障生產安全等方面具有重要意義。渦輪分子泵作為高端制造與科學研究中的關鍵設備,其性能測量標準化至關重要。我們積極參與這一標準制定,旨在為我國真空技術的發展貢獻力量。
作為一家深耕半導體封裝設備領域的創新型公司,中科光智深知標準不僅是產品質量的保障,更是行業進步的重要基石。
多年來,我們在真空技術研發中積累了豐富經驗,尤其在“真空環境控制”相關技術上取得了不少成果,具備了突出優勢。我們自主研發的半導體封裝設備如等離子清洗機、真空共晶回流焊爐、惰性氣體手套箱等,也廣泛應用了真空泵。因此,此次參與真空技術國家標準制定不但告知了業界我們的技術實力,同時也為公司主營產品的研發制造提供了重要支持,進一步鞏固了我們在行業內的地位。
未來,我們將繼續秉持“創新驅動,質量為先”的理念,深化技術創新,推動渦輪分子泵技術標準的實施。我們期待與業界攜手,共同推動行業發展進步。
? 未來5年,碳化硅SiC市場規?;驅⒊賰|美元,國產封裝設備成長空間充足
隨著全球半導體產業的迅猛發展,碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的佼佼者,以其優越的高頻、高溫和高壓特性,成為新能源、電動汽車、5G通信等領域的核心驅動力。
SiC功率器件市場的快速增長始于2018年至2019年左右,持續至今,這股趨勢愈演愈烈。根據法國市場研究公司 Yole Group 于今年3月發布的SiC(碳化硅)/GaN(氮化鎵)市場研究報告稱,預計未來幾年將再增長一個檔次,因為不僅僅是汽車,工業、能源、鐵路等領域應用均在增長勢頭上;預計到2029年,SiC功率器件市場規模將達到100億美元。
在市場需求日益攀升的背景下,碳化硅產業進入高速發展階段,尤其是中國廠商的崛起,正在重塑全球市場格局。
在這一關鍵時刻,中科光智(重慶)科技有限公司積極參與到了《2024碳化硅(SiC)產業調研白皮書》的編制工作中。這一白皮書將系統分析全球碳化硅產業的發展現狀、技術突破及未來趨勢,為行業提供權威參考和指導,推動產業鏈的協同發展和技術升級。
作為半導體封裝設備領域的國產化先鋒,中科光智在碳化硅封裝設備的研發和制造上取得了顯著進展,同時在碳化硅芯片高可靠性封裝技術方面也有所突破。在研發團隊的合力下,我們攻克了全自動高精度貼片機、納米銀壓力燒結機等核心設備的制造技術難題,成功開發出了能夠滿足碳化硅芯片封裝高可靠性要求的先進工藝設備。
主要用于碳化硅、IGBT芯片封裝貼片工藝,能夠高質量地完成碳化硅芯片的可靠預貼,滿足后續銀燒結工藝的要求,實現高可靠的碳化硅芯片封裝。
? SiC預貼工藝:支持濕法、干法銀膏工藝和銀膜轉印工藝。
? IGBT芯片封裝:支持芯片、FRD的焊片、焊膏工藝,同時支持Clip Bonding.
納米銀有壓燒結技術可以實現高壓低溫燒結、高溫可靠服役的要求,具有良好的熱導率、電導率和高溫可靠性。
NS3000納米銀有壓燒結機主要用于寬禁帶半導體SiC芯片封裝中的納米材料有壓燒結工藝。可實現低溫、高效、無損、可靠的連接效果。
NS3000采用業界通用的柜式結構設計,具有成本經濟、操作簡單、配置靈活、工藝可靠的特點,尤其適合納米材料有壓燒結工藝驗證、納米材料研發、SiC器件封裝工藝研發等應用場景。
這些設備不僅具備高效、精準、穩定的性能,還大幅提升了封裝工藝的質量和效率,滿足了日益增長的高性能封裝需求,進一步鞏固了我們在行業中的領先地位。
我們對《2024碳化硅(SiC)產業調研白皮書》在今年年底的正式發布非常期待。屆時,中科光智將與業界同仁共同探討碳化硅產業的發展前景,分享技術創新成果。歡迎廣大業界朋友關注與交流,共同見證碳化硅產業的繁榮與未來!